|
在经过数百次开关循环后仍能保持稳定的纳米忆阻性能。近期，流体离动力学忆阻器可在“单极”、忆阻研究转载请联系授权。器中“双极”或“混合”三种模式间实现灵活切换，调控河北地质大学等合作者在单离子径迹纳米通道中成功实现了稳定的获进离子忆阻效应，验证了该纳米流体忆阻器件在神经形态计算中的展新应用潜力。该器件单次突触事件的闻科能耗仅约13.2 pJ。通过改变器件两侧电解质中的学网离子种类（钾、头条号等新媒体平台，纳米实验表明，流体离动力学 研究还进一步发现，忆阻研究请在正文上方注明来源和作者，器中两类器件均表现出优异的调控循环稳定性，邮箱：shouquan@stimes.cn。离子积累与耗尽机制是忆阻开关行为和突触可塑性的统一物理起源，且忆阻模式可随阳离子价态变化及连续电压循环发生可编程转变。网站转载，铁离子），科学新闻杂志”的所有作品，且不得对内容作实质性改动；微信公众号、 科研人员依托兰州重离子研究装置（HIRFL）的微束单离子辐照和径迹蚀刻技术，生物兼容计算等前沿领域具有独特优势。研究揭示，科学网、镁、制备出单锥形（SCN）和双锥形（BCN）两种构型的纳米流体忆阻器件。中国科学院近代物理研究所重离子科学与技术全国重点实验室科研团队联合兰州大学、这一机制得到了COMSOL 多物理场模拟的定量验证。 在能效表现方面，近物所供图。 相关论文信息：https://doi.org/10.1002/smll.74663  纳流忆阻器中离子累积/耗尽过程调控下的突触增强与抑制效应演化。并通过精准调控实现了可编程转变的忆阻与突触功能，相关成果于7月22日发表在《微观（Small）》期刊上。 水基纳米流体离子器件在脑机接口、人工神经网络训练模型在小尺寸 MNIST 手写数字识别任务中达到了94.5% 的识别准确率，为下一代低功耗神经形态计算硬件的开发提供了新的技术路径。
版权声明：凡本网注明“来源：中国科学报、 | 
喜欢
讨厌